В электронике и полупроводниковой технике основными преимуществами SiC являются:
Высокая теплопроводность 120-270 Вт/мК
Низкий коэффициент теплового расширения 4,0x10^-6/°C
Высокая максимальная плотность тока
Сочетание этих трех характеристик обеспечивает SiC превосходную электропроводность, особенно по сравнению с кремнием, более популярным двоюродным братом SiC. Характеристики материала SiC делают его очень выгодным для высокомощных приложений, где требуется высокий ток, высокая температура и высокая теплопроводность.
В последние годы SiC стал ключевым игроком в полупроводниковой промышленности, обеспечивая питание МОП-транзисторов, диодов Шоттки и силовых модулей для использования в мощных и высокоэффективных приложениях. Хотя они дороже кремниевых МОП-транзисторов, которые обычно ограничены напряжением пробоя 900 В, SiC позволяет достичь порогового напряжения почти 10 кВ.
SiC также имеет очень низкие потери при переключении и может поддерживать высокие рабочие частоты, что позволяет ему достигать непревзойденного на сегодняшний день КПД, особенно в приложениях, работающих при напряжении более 600 вольт. При правильном применении SiC-устройства могут снизить потери в системе преобразователей и инверторов почти на 50%, размеры - на 300%, а общую стоимость системы - на 20%. Такое уменьшение общего размера системы делает SiC чрезвычайно полезным в приложениях, чувствительных к весу и пространству.
